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SiCw/SiC层状结构陶瓷的制备及其应用

解玉鹏 , 成来飞 , 张立同

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.06.04

提出了采用流延法(Tape Casting,TC)结合化学气相渗透法(Chemical Vapor Infiltration,CVI)制备SiCw/SiC层状结构陶瓷的方法,分析了TC-CVI方法的特点,阐述了SiCw/SiC层状结构陶瓷的强韧化机理及其应用.结果表明:TC-CVI制备方法通过提高晶须体积分数和减少对晶须的损伤来提高材料的强度;通过控制层内和层间界面结合强度来提高材料的韧性.与传统热压烧结工艺制备的层状结构陶瓷相比,TC-CVI制备的SiCw/SiC层状结构陶瓷中晶须含量可达40%(体积分数),其主要增韧机制为层间和层内裂纹偏转、裂纹桥接和晶须拔出等.该材料具有较高的弯曲强度、拉伸强度和断裂韧性,表现出良好的线性变形行为.TC-CVI工艺为制备航空发动机叶片提供了一种可行方法.

关键词: 化学气相渗透 , 流延法 , SiC , SiCw/SiC层状结构陶瓷 , 强韧性

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