李书海
,
崔洪芝
,
郑文龙
,
崔德运
复合材料学报
以γ-AlOOH、TiO2和SiCw为原料,通过反应烧结制备了多孔Al2TiO5-SiCw复合材料,研究了SiCw对Al2TiO5-SiCw复合材料物相、微观组织结构、孔隙率和抗压强度的影响.结果表明:反应产物中主要物相有Al2TiO5、Al6Si2O13、TiC和SiO2.由于晶须分解速度快,SiCw可全部与TiO2反应生成TiC和SiO2.添加SiCw,一方面显著细化了Al2TiO5基复合材料的微观组织,生成的细小规则的TiC晶粒和存在于Al2TiO5晶界处的Al6Si2O13有利于抑制Al2TiO5晶粒长大,提高其抗压强度.另一方面,因为SiCw改变了原料中颗粒之间的堆积方式,使孔径增大、孔隙率显著提高.生成的一定量的SiO2对晶粒产生黏结,使得Al2TiO5基复合材料的孔洞骨架密实,提高了抗压强度,但当SiCw加入量多时,由于出现较多的玻璃相,会降低抗压强度.
关键词:
多孔材料
,
Al2TiO5
,
SiCw
,
反应烧结
,
复合材料
张艳凤
,
崔洪芝
,
宋晓杰
,
张珊珊
,
魏娜
,
王珂
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001
以Ti、B4C和SiC晶须(SiCw)为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB2-TiC复合材料.讨论了SiCw含量对TiB2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响.结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB2和TiC的含量增加.随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46％增加至52.78％.当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04 MPa.Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多.并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用.
关键词:
TiB2-TiC
,
SiCw
,
多孔复合材料
,
反应合成
,
自蔓延高温合成法
马爱珍
,
崔洪芝
,
崔德运
,
李书海
,
宋晓杰
,
程贵勤
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151022.003
以γ-AlOOH 和 TiO2为原料,添加不同质量分数 SiC 晶须(SiCw ),采用无压反应烧结法制备多孔(Al6 Si2 O13+TiC)/Al2 TiO5复合材料,分析了 SiCw 质量分数对(Al6 Si2 O13+TiC)/Al2 TiO5复合材料孔隙率和抗压强度的影响,讨论了 SiCw 的强化机制。结果表明：不添加 SiCw 时,产物主要为 Al2 TiO5和少量 Al2 O3,还有少量未反应的TiO2；加入 SiCw 之后,还形成了 Al6 Si2 O13和TiC相,TiC和 Al6 Si2 O13分别以规则颗粒状和晶须形态存在于 Al2 TiO5基体中。TiC颗粒与 Al6 Si2 O13晶须通过细化显微组织、裂纹偏转和晶须桥连机制,起到协同强化作用。SiCw 的添加使孔隙率和抗压强度同时大幅度提高,随着 SiCw 质量分数的增加,(Al6 Si2 O13+TiC)/Al2 TiO5复合材料孔隙率降低,抗压强度提高的速率减小,当 SiCw 的质量分数为7.2%时,抗压强度最高,达到301.81 MPa。
关键词:
Al2 TiO5
,
SiCw
,
Al6 Si2 O13晶须
,
TiC
,
强化机制
,
抗压强度
魏红康
,
张玉军
,
邓翔宇
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.028
以Si粉为烧结助剂,采用真空热压烧结工艺制备B4C-SiCw陶瓷复合材料.将不同含量的SiCw与B4C和Si混合,制得的复合粉体在1850℃、60MPa下真空热压烧结,研究了SiCw含量对复合材料力学性能的影响,并借助X射线衍射、扫描电镜分析了复合材料的物相组成和微观结构.研究结果表明:分散处理后的SiCw可以有效地提高复合材料的力学性能,当晶须含量为10％(质量分数)时,弯曲强度和断裂韧性达到最大值,分别为468 MPa和5.70 MPa·m1/2.复合材料中SiCw的拔出使复合材料的弯曲强度及断裂韧性得以提高.
关键词:
碳化硼
,
硅粉
,
SiCw
,
力学性能
,
微观结构
陈旸
,
乜玉强
,
乔宁
,
李欣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.018
以含氢硅油为前驱体,选用3种不同的活性炭块(1 cm×1 cm×1 cm)为基体,经交联、制粉、包埋,氢气保护下烧结制备SiC晶须(SiCw).对含氢硅油的交联工艺进行了研究,以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响.结果表明,交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素;其次依次是保温时间、催化剂含量、交联剂含量.在不同基体的诱导研究中,石墨基体表面生成的晶须较平直,另外两种基体未见均匀分布且长直的SiC晶须生成.SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发,较低温度下晶须头部液滴的存在说明其生长机制符合VLS机制.
关键词:
SiC晶须
,
含氢硅油
,
交联度
,
生长机制
,
正交试验法
