杨治华
,
贾德昌
,
周玉
,
石鹏远
,
宋成斌
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2004.07.005
制备了SiC短纤维增强原位合成的SiC-BN复合陶瓷(SiCsf/SiC-BN),对其氧化动力学进行了分析计算,并对不同成分的SiCsf/SiC-BN复合陶瓷在800～1200℃的氧化过程进行了研究.研究表明, Si3N4,B4C和C可以原位合成复合陶瓷的基体.复合陶瓷在高温发生氧化时,SiC和BN氧化产物主要为SiO2和B2O3,这两者互融形成的薄膜可以有效减缓复合陶瓷的氧化.
关键词:
SiCsf/SiC-BN复合陶瓷
,
氧化
,
SiC短纤维
,
原位合成
