汤精明
,
王小明
,
乔生儒
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.06.002
对用CVI法制备的SiCp/SiC复合材料的氧化性能进行了研究.材料含有的气孔和破坏氧化膜连续性的杂质元素,为氧气扩散提供通道;氧化过程中形成的气孔,导致了新的自由表面的暴露和空气扩散通道,进而加剧氧化.在材料的高温氧化过程中,SiC的氧化生成SiO2膜导致试样质量增加,玻璃碳界面层的氧化生成CO的逸出导致试样质量损失.最后的质量变化是这两种综合作用的结果.在高温氧化过程中,材料的空隙增多,应力集中加强,界面层被破坏使SiCp/SiC复合材料的强度下降.
关键词:
造粒
,
团聚体
,
化学气相渗透
,
SiCp/SiC复合材料
,
微结构
,
氧化性能