刘猛
,
李顺
,
白书欣
,
赵恂
,
熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.
关键词:
电子封装材料
,
SiCp/Cu
,
制备方法
,
界面反应
,
界面调控
刘猛
,
白书欣
,
李顺
,
赵恂
,
熊德赣
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.08.002
采用热压烧结法成功制备SiCp／Cu复合材料。采用溶胶‐凝胶工艺在SiC颗粒表面制备Mo涂层，研究Mo界面阻挡层对复合材料热物理性能的影响。结果表明：过氧钼酸溶胶‐凝胶体系能够在S iC颗粒表面包覆连续性、均匀性较好的MoO3涂层，最佳工艺配比为SiC∶MoO3＝5∶1（质量比）、过氧化氢∶乙醇＝1∶1（体积比），SiC表面丙酮和氢氟酸预清洗处理有利于M oO3涂层的沉积生长。M oO3在540℃第一步氢气还原后转变为M oO2，M oO2在940℃第二步氢气还原后完全转变为Mo ，Mo涂层包覆致密完整。热压烧结SiCp／Cu复合材料微观组织致密均匀，且相比原始SiC颗粒增强的SiCp／Cu ，经溶胶‐凝胶法界面改性处理的SiCp／Cu复合材料热导率明显提高，SiC体积分数约为50％时，SiCp／Cu复合材料热导率达到214．16W · m －1· K －1。
关键词:
溶胶-凝胶
,
表面改性
,
Mo涂层
,
SiCp/Cu
,
热压烧结
,
热导率
