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肖强 , 何雪莉
人工晶体学报
SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50％,材料去除率提高达100％.
关键词: SiC单晶片 , 表面粗糙度 , 材料去除率
