李婷婷
,
彭超群
,
王日初
,
王小锋
,
刘兵
中国有色金属学报
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好.分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势.
关键词:
电子封装材料
,
Al2O3陶瓷
,
AlN陶瓷
,
BeO陶瓷
,
SiC陶瓷
,
Si3N4陶瓷
,
流延成型
,
凝胶注模成型
杨大祥
,
宋永才
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.06.018
连续SiC纤维是制备耐高温陶瓷基复合材料的基础和关键,目前应用最多的SiC纤维主要是通过先驱体转化法制得.它具有耐高温、抗氧化、高比强度和高比模量等特性,广泛的应用于航空、航天及军事等领域.由于连续SiC纤维的战略重要地位,国内外都呈现出研究和开发连续SiC纤维的热潮,新品种纤维不断出现,纤维性能不断提升,尤其是纤维耐高温性能和抗氧化性能得到了深入的研究和大幅度的提高,耐1 900℃的烧结含铝碳化硅纤维抗拉强度达到2.5 GPa,有着广阔的前景.
关键词:
先驱体法
,
聚碳硅烷
,
综述
,
SiC纤维
,
SiC陶瓷
,
复合材料
,
应用
刘志伟
,
鲍崇高
稀有金属材料与工程
采用纸质材料制成三维管状模型,经过纸质模型碳化、反应性渗硅处理获得多孔SiC陶瓷预制体,选择铸造性能好、成形缺陷小的铸铁作为金属基体,采用铸渗法制备了SiC陶瓷增强金属基复合材料,通过XRD,SEM等分析手段研究了多孔SiC陶瓷和复合材料的显微组织和界面结构.研究表明,纸质模型800C温度碳化,反应性渗硅温度1600℃时制备的多孔SiC陶瓷预制体三维结构稳定,烧结后变形小,微观组织结合紧密;通过铸渗法制备的SiC陶瓷增强金属基复合材料界面结合良好,无明显缺陷.该方法中增强相结构可设计性好,铸渗法制备多孔陶瓷金属基复合材料质量高,为多孔陶瓷增强金属基复合材料的获得提供了试验新方法.
关键词:
SiC陶瓷
,
反应性渗硅
,
铸渗
,
金属基复合材料
毛样武
,
李树杰
,
韩文波
稀有金属材料与工程
采用Ni-51Cr(含质量分数为51%Cr)焊料高温钎焊再结晶SiC陶瓷,研究了连接温度、保温时间以及焊料量等对接头三点抗弯强度的影响,并对连接界面区域的微观结构及焊料反应产物进行了SEM,EDS及XRD分析.在本试验中,当连接温度为1360℃,保温时间为5 min,焊料量为350 mg时得到的接头三点抗弯强度最高,为74.2 MPa.微观结构结果表明:SiC,Ni和Cr均发生了扩散;在母材SiC与焊料中间层之间,生成了一反应层,反应层的主要成分为Ni2Si和C;而Cr主要分布于焊料中间层中,以Cr23C6,Cr7C3等形式存在.
关键词:
高温钎焊
,
SiC陶瓷
,
陶瓷连接
,
Ni-51Cr焊料
王生学
,
李伟
,
陈朝辉
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.08.010
采用先驱体转化法,以聚碳硅烷、二乙烯基苯和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,结合XRD,SEM和EDS能谱等测试方法,研究ZrO2的添加对材料氧化行为的影响.结果表明:ZrO2引入后,SiC陶瓷材料在1600℃开始氧化,表面生成了SiO2阻氧层阻止气体逸出,宏观上形成气泡,到1700℃材料氧化较严重,表面变得凹凸不平,出现较多空洞,并且存在一定程度的失重；1700℃氧化后,含ZrO2的材料表面和内部均有一定程度的氧化,表面的主要成分为SiO2,内部有部分SiC发生了氧化,两种材料氧化层呈梯度分布；在高温氧化过程中,ZrO2会发生由四方相向单斜相的相变,SiC对ZrO2的相变具有抑制作用,而材料氧化后生成的SiO2则无法抑制ZrO2的相变.
关键词:
ZrO2
,
SiC陶瓷
,
先驱体转化法
,
氧化行为
江泽慧
,
任海青
,
费本华
,
张东升
,
岳永德
,
陈晓红
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.01.001
以毛竹、印度莉竹为原料,在氮气氛中炭化制得竹炭,然后于1450℃下采用熔融Si渗透技术制得SiC陶瓷材料.借助SEM、XRD、X射线能谱仪、TGA和万能力学试验机等测试手段对竹炭和SiC陶瓷材料的微观构造、物相构成、材料的微区成分、力学特性及竹材的热失重行为进行了分析.结果表明:竹炭及其SiC陶瓷材料都继承了竹材的各向异性和微观构造特征;竹基SiC陶瓷是一种包含单质Si、C和SiC多相成分的复合材料;由两种竹材制备的竹炭及其SiC材料在微观构造、相组成和抗压力学性能上表现出一定的差异性.
关键词:
竹材
,
竹炭
,
SiC陶瓷
,
微观结构
,
抗压强度
刘桂武
,
张相召
,
王倩
,
叶志国
,
史忠旗
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
利用TiH2粉末膏剂涂覆和在真空下1000或1400℃保温20 min的预处理工艺对反应烧结SiC陶瓷柱进行了表面预处理,再将预处理好的SiC陶瓷柱固定在石墨板上,随后采用金属浇铸工艺制备了一种具有高度陶瓷增强体宏观均匀性、可靠性和可设计性的SiC陶瓷柱阵列增强高铬铸铁复合材料.陶瓷涂层和复合材料界面分析表明:1400℃为较优的SiC表面预处理温度,预处理后SiC表面形成一层可靠的金属性复合层.该复合层在高温浇注过程中不会被溶解,可有效抑制高铬铸铁与SiC陶瓷的界面反应,从而形成无脱层、优良的复合材料陶瓷/金属磨损界面.与该复合材料的金属基体相比,由于SiC陶瓷柱的有效添加,经表面处理后不同陶瓷含量的SiC/高铬铸铁复合材料的耐磨性能均显著提高.
关键词:
金属基复合材料
,
SiC陶瓷
,
氢化钛
,
界面
,
耐磨性能
林国标
,
黄继华
,
毛建英
,
李海刚
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2005.06.005
用合金化的Ag-Cu-Ti粉及SiC粉组成的混合粉末钎料,真空无压钎焊SiC陶瓷和Ti合金.研究结果表明,在Ag-Cu-Ti粉末钎料中加入15vol%～30vol%SiC粉末能明显降低接头热应力,获得完整的SiC颗粒增强的复合接头.加入的SiC颗粒、SiC陶瓷母材均与连接层中的Ti起反应,形成表面反应层Ti3SiC2及分布于Ag-Cu-Ti合金中的Ti-Si化合物,随SiC颗粒增加,反应层变薄.连接层中的Cu元素与连接的Ti合金相互扩散,形成Cu-Ti相界面扩散带.
关键词:
SiC陶瓷
,
Ti合金
,
连接
,
复合接头
白世鸿
,
乔生儒
,
舒武炳
,
李玫
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.11.007
采用四点弯曲实验方法,研究了高温下不同测试方法(CN法、SENB法和SEPB法)对工业用重结晶SiC陶瓷材料断裂韧性的影响.通过实验发现:在低温下(T＜800℃),不同测试方法所获得的KIC不同,CN法测得KIC偏大,而SEPB法测得的KIC则偏小,同时,三种测试方法获得的KIC随温度的升高变化率都不明显.在高温下(T＞800℃),不同的测试方法其KIC随温度的升高变化趋势不同,CN法KIC随温度的升高而增大,SENB法KIC随温度的升高而减小,SEPB法KIC随温度的升高则基本无变化
关键词:
断裂韧性
,
高温
,
SiC陶瓷
,
测试
陈志林
,
张建
,
周建斌
,
傅峰
功能材料
以甲基三乙氧基硅烷为原料,盐酸为催化剂,乙醇为溶剂在一定的条件下制备二氧化硅溶胶,再与竹炭粉、硅粉按照一定的比例充分混合均匀,在Ar气氛下经高温烧结制得SiC陶瓷材料.借助FT-IR、SEM-EDS和XRD等测试方法对转变为SiC过程中的物理化学结构变化、显微结构和物相变化进行了表征,并对其吸附性能和导电性能进行了试验.试验结果表明,在竹炭转变为SiC的高温处理过程中,化学键Si-O键基本上全部转变为Si-C键;竹炭的显微结构很好的留在了SiC陶瓷中;竹炭SiC陶瓷材料是一种包含单质Si、C和SiC多相组分的复合材料.在1650℃条件下的SiC陶瓷材料的吸附能力比其它两个要高;竹炭SiC材料具有较低的电阻率,是一种半导体材料.
关键词:
溶胶凝胶法
,
竹炭
,
SiC陶瓷
,
制备
,
性能
