王超
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梁军
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栾旭
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王宝来
稀有金属材料与工程
ZrB_2+SiC陶瓷在高温氧化过程中会形成一层多孔的SiC耗尽层.本文首先计算了在高温氧化过程中的主要氧化产物.通过对氧化过程中相变机制的分析,利用质量守恒、固体区域体积守恒并结合反应速率方程,研究了SiC耗尽层的形成与演化过程,给出了孔隙率随温度的变化规律.结果表明:氧化过程中生成相的体积膨胀及SiC的初始体积含量是影响SiC耗尽层孔隙率的主要因素.对计算结果的分析解释了试验中发现的在低SiC含量下不出现耗尽层,以及氧化层破坏的现象.
关键词:
ZrB_2+SiC陶瓷
,
SiC耗尽层
,
氧化
,
孔隙率
,
高温
