罗胜联
,
曾祥勇
,
旷亚非
,
曾凌三
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2002.02.001
采用常规阳极氧化法,研究电解液中各成分和电解规范对复合阳极氧化膜层性能的影响后,提出了添加SiC粉体硫酸溶液中铝的复合阳极氧化工艺.实验结果表明:该工艺具有操作容易、设备简单、成本低等特点,与常规阳极氧化比较,其氧化速度、操作温度上限和膜层性能均有显著提高.
关键词:
铝
,
阳极氧化
,
复合阳极氧化
,
SiC粉体
王晓刚
,
张瑞
,
邓丽荣
,
郝丽丽
,
陆树河
,
王嘉博
,
华小虎
材料导报
采用聚乙烯亚胺(Polyethyleneimine,PEI)作为表面活性剂对工业用β-SiC超细粉体进行表面改性,采用离心式喷雾干燥技术对碳化硅浆料进行干燥.通过扫描电镜、X射线衍射仪、红外光谱仪、粉体综合测试仪测试了改性前后粉体的形貌、表面性质、粒度及流动性.结果表明:PEI在粉体表面形成了包覆层,使粉体团聚现象减少；喷雾干燥大大地提高了粉体的流动性,综合流动性指数由原粉的44增加到88;改性并没有改变粉体内部的物相与结构；PEI仅仅是吸附包覆,通过空间位阻效应使得粉体稳定分散.
关键词:
SiC粉体
,
聚乙烯亚胺
,
表面改性
,
喷雾干燥
李丽光
,
谭业发
,
储伟俊
,
王小龙
,
谭华
机械工程材料
为了获得成本低、吸波性能良好、吸收带宽较大的电磁波吸收涂层,运用高压液相氢还原工艺对SiC粉体进行表面镀镍,并与铁氧体复合,制备了Ni-SiC/铁氧体复合材料吸波涂层,研究了单一材料与复合材料吸波涂层在8～18 GHz频段内的吸波性能,并研究了不同材料的电磁参数.结果表明:表面镀镍的SiC粉体与铁氧体复合后,可使该复合材料的复磁导率和复介电常数得到较合理的调整,使频散效应增强,从而使Ni-SiC/铁氧体复合材料吸波涂层的吸收峰值提高、吸收带宽增加,在15.2 GHz达到最小反射率-22.85 dB,且小于-10 dB的有效吸收带宽为7 GHz,吸波性能得到显著改善.
关键词:
SiC粉体
,
镀镍
,
铁氧体
,
复合材料吸波涂层
郭兴忠
,
杨辉
,
王建武
,
曹明
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2004.03.002
采用聚乙二醇(PEG 200)作为分散剂对工业用SiC粉体进行表面改性处理,通过TG、IR、电镜等测试技术研究了改性前后SiC粉体的流动特性、吸附、热重以及形貌等物性,分析了PEG加入量及液体介质对各种物性的影响.试验结果表明:PEG添加量为5%(质量分数),介质为乙醇时,改性SiC粉体流动特性较好;PEG在粉体表面的吸附量随PEG量的增加而增加,介质基本不影响吸附量;SiC粉体表面吸附的PEG可以烧尽;改性后颗粒之间分散较好,尺寸分布均匀,形状多为块状分布;粉体改性后碳化硅陶瓷制品的烧结性能得到改善.
关键词:
SiC粉体
,
聚乙二醇
,
表面改性
,
物性
李智敏
,
周万城
,
苏晓磊
,
罗发
,
黄云霞
功能材料
采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体.通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征.结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相.在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体.在8.2～12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试.结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能.
关键词:
SiC粉体
,
Al掺杂
,
固相反应
,
介电性能
王永明
,
毕文娟
,
李家柱
,
殷军港
硅酸盐通报
本文建立了一种对SiC表面羟基浓度定量检测的方法,利用卡尔费休微量水分测定仪直接测量出SiC表面羟基浓度.经计算,本方法RSD为3.8％,对于SiC粉体表面羟基浓度测定能够得到满意的结果.通过X射线能谱仪(EDS)进行表面元素分析,表明酸碱处理使SiC粉体表面碳硅比趋向于符合化学式的1∶1.测量相同固相含量的SiC浆料粘度,数据表明经过酸碱处理过的SiC粉体使相同固相含量的浆料粘度降低.改变浆料的pH值可改变其粘度,找到了使SiC粉体流变性能最适宜的pH值.
关键词:
SiC粉体
,
卡尔费休微量水分测定仪
,
表面羟基
,
碳硅比
,
粘度
仉小猛
,
徐利华
,
郝洪顺
,
杨剑英
,
何芳
材料导报
以高硅铁尾矿为主要原料,利用碳热还原法合成了SiC粉体.分析了合成过程的反应机理,探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响.结果表明,最终产物中β-SiC为主晶相,Fe_xSi_y为次晶相;影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量,其次是反应温度;在保证配碳过量的情况下,保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显;产物晶粒存在多种几何形状,其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在,并且晶粒表面比较光滑,晶粒的尺寸分布不均匀.合成SiC的最佳工艺参数为:n(C):n(SiO_2)=5,合成温度1500℃,恒温时间8h,氩气流量0.6L/min.
关键词:
高硅铁尾矿
,
SiC粉体
,
碳热还原
邹忠利
,
耿桂宏
,
马金福
,
马宝东
,
杨世明
材料保护
为了实现SiC粉体化学镀前的无钯活化,采用铁盐的乙醇溶液对SiC粉体进行活化,通过单因素试验研究了活化液中铁盐含量、硼氢化钠的含量、活化温度和pH值等对SiC粉体表面铜沉积量的影响.采用扫描电镜(SEM)对SiC粉体包覆前后的表观形貌进行了观察,通过X射线衍射仪(XRD)获得了包覆前后SiC粉体的组成,并对活化粉体化学镀铜后镀层的结合力进行测试.结果表明:经过铁盐活化后SiC表面吸附上了铁微粒,化学镀处理后在其表面沉积了一层铜,其结合力符合要求;最佳活化工艺条件为5.0 g/L硝酸铁,3.0 g/L硼氢化钠,pH值12.5,温度20℃.
关键词:
铁盐活化
,
SiC粉体
,
化学镀铜
郭兴忠
,
杨介更
,
王建武
,
曹明
,
高黎华
,
傅培新
,
杨辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.06.009
采用流化床对撞式气流粉碎(QLM-80K)对工业用SiC粉体进行超微化处理,考察了工作压力对超微化的影响;并采用激光粒度分布仪、扫描电镜、XRD对超微化前后的SiC粉体进行粒度、形貌及结构的研究.研究结果表明:工作压力愈高,SiC粉体的超微化效果愈明显.工作压力为0.6MPa时,超微化前后SiC粉体的平均粒径由3.01μm降至0.75μm,粒径小于2.5μm的比例由82.86%升至99.85%,粒径主要分布由0.4～1.5μm和8～23μm的双峰分布变为0.4～1.2μm的单峰分布,分布宽度从25.125降到0.833;颗粒主要以片状、小块状存在,分布均匀,超微化前存在的大块状颗粒基本消失,团聚现象明显减少;超微化前后SiC粉体的晶型都属于α-SiC(6H),超微化后各主要衍射峰的强度减弱、半高宽有所宽化.
关键词:
SiC粉体
,
流化床对撞式气流粉碎
,
超微化
