马宗青
,
刘永长
,
姜海
,
霍洁
,
董治中
,
余黎明
低温物理学报
SiC掺杂MgB_2体系由于其优异的超导性能而受到普遍关注并成为超导领域中一大研究热点,但是目前的研究大多集中在SiC对MgB_2超导性能的影响上,对SiC的加入对MgB_2烧结过程的影响研究很少,本文结合差热分析和物相鉴定,系统研究了SiC掺杂MgB_2体系的烧结过程,并在此基础上探究了其反应动力学机理.结果表明,在烧结过程中Mg先和B发生反应,随着温度的升高在Mg和B还没有反应完全的时候SiC和Mg继而开始反应,反应动力学分析表明该体系的固相反应阶段为相界面控制反应过程,其表观活化能为547. 5KJ/mol,指前因子为5. 76×10~(15) min~(-1).
关键词:
MgB_2
,
SiC掺杂
,
差热分析
,
反应动力学
单迪
,
熊晓梅
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刘国庆
,
焦高峰
,
闫果
,
周廉
材料导报
以干燥的B粉和Mg粉为原料,采用分步反应法制备了SiC(40～45μm)掺杂的MgB2/Nb/Cu超导线材.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了在650℃热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相组成、微观结构的影响.采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线,结果表明,当该工艺第二步热处理温度为650℃时,反应不完全,应适当升高温度;同时高SiC掺杂量有利于在MgB2线材中引入更多B位C掺杂,表现为Tc略有降低,从而提高了其磁通钉扎特性.
关键词:
MgB2超导线材
,
SiC掺杂
,
微观结构
,
超导电性
付尧
,
张松
,
吴燕平
,
邓朝勇
材料导报
元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义.介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因.
关键词:
MgB2
,
临界电流密度
,
上临界场
,
SiC掺杂
,
有机物掺杂
许红亮
,
冯勇
,
徐政
,
曹烈兆
,
李晓光
,
刘竞艳
功能材料
利用原位粉末套管法制备出SiC微粉掺杂的MgB2-x(SiC)x/2/Fe(x=0.00、0.05、0.10、0.20)超导线材.在750℃,流通高纯氩气的条件下热处理1h后,大部分SiC没有参与取代B位的反应.随着x的增大,线材中非超导相SiC和Mg的含量增加,MgB2的平均晶粒尺寸变小,从而使可作为磁通钉扎中心的晶界的面积相应增加.在外加磁场中,MgB2超导线材的临界电流密度(Jc)随x增大逐步升高,至x=0.10时Jc性能最好,其在6K,5T时的Jc达到了8480A/cm2,比未掺杂线材的Jc高出约70%.但是,当x = 0.20时,Jc却有所下降.Jc的这种变化规律与SiC掺杂引起的MgB2晶粒变小,以及非超导相物质含量之间的相互平衡有关,其中MgB2晶粒变小是Jc提高的主要原因.
关键词:
MgB2超导线材
,
SiC掺杂
,
临界电流密度
,
显微结构
