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周继承 , 郑旭强 , 刘福
材料导报
SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距.
关键词: SiC材料 , SiC器件 , 研究现状 , 关键技术 , 发展趋势
王引书 , 李晋闽 , 林兰英
材料研究学报
SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文综述了半导体SiC体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况.
关键词: SiC体单晶生长 , epilayer growth , SiC devices
