刘伟
,
曹腊梅
,
王岭
,
徐彩虹
,
益小苏
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.06.001
采用流变仪研究了聚硼硅氮烷作为RTM树脂的成型工艺性能,进而采用RTM工艺成型出复合材料坯体,再经过重复的浸渍-常压裂解工艺制备了Cf/SiBCN陶瓷基复合材料,详细研究了RTM成型缺陷对复合材料的厚度、密度以及力学性能等方面的影响.结果表明:聚硼硅氮烷完全满足RTM成型工艺对流变性能的要求;RTM成型缺陷会进一步加剧复合材料的膨胀,使复合材料的厚度明显增大;同时会降低浸渍裂解前期复合材料的密度;最终复合材料的抗弯强度和模量均略有降低.
关键词:
RTM
,
SiBCN陶瓷
,
陶瓷基复合材料
,
聚硼硅氮烷
张宗波
,
曾凡
,
刘伟
,
罗永明
,
徐彩虹
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.02.023
通过聚合物前驱体热解方法制备了SiBCN陶瓷,对其在1 200℃空气条件下的抗氧化性能进行了研究,并与前驱体法制得的SiCN陶瓷进行了比较.结果表明,SiBCN陶瓷经氧化10 h后样品氧化增重只有0.35%,并且样品中没有裂纹的出现,表现出良好的抗氧化性能.而同样条件下SiCN陶瓷氧化增重达到3.1%,样品出现裂纹.样品表面元素组成分析表明,SiBCN陶瓷表面氧化物主要以SiO2形式存在,而SiCN陶瓷表面主要以SiOx(x<2)存在.
关键词:
SiBCN陶瓷
,
SiCN陶瓷
,
聚合物前驱体法
,
抗氧化性能
滕雅娣
,
黄鑫龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.05.005
以甲基乙烯基二氯硅烷为原料,经硼氢化、氨解以及热聚合反应合成了一系列聚硼硅氮烷(PBSZ),重均分子量(MW)为9.0×104~2.6×105.利用改进的姜黄素直接光度法测得其实际硼含量为2.59%~9.92%(质量分数).用FT-IR和1 H NMR对 PBSZ 结构进行了表征,发现硼含量高的 PBSZ 具有线型结构,硼含量低的PBSZ具有星型结构.线型结构的PBSZ可溶解于四氢呋喃、甲苯、乙酸乙酯、三氯甲烷和无水乙醇等常用有机溶剂中,星型结构的PBSZ不溶解.通过TGA对该系列PBSZ与自制的聚硅氮烷(PSZ)的热性能进行了对比测试,结果表明,在1350~1500℃区间PBSZ的失重率为0~0.09%,而PSZ的失重率为0.73%,说明该系列PBSZ转化成的Si-B-C-N四元体系陶瓷比Si-C-N三元体系陶瓷具有更好的高温稳定性.
关键词:
陶瓷前驱体
,
硼氢化反应
,
聚硼硅氮烷
,
姜黄素直接光度法
,
SiBCN陶瓷
,
高温稳定性