材料期刊网

氮化硅薄膜的表面平整度特性

陶孟仙

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.04.015

本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面特性．结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜．

关键词: ECR-PECVD , Si3N4薄膜 , 表面平整度