古亚军
,
张海军
,
李发亮
,
张少伟
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201606014
采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了 Ni(OH)2,利用其原位合成 NiO 来催化硅粉氮化制备Si3 N4粉,研究了原位合成 NiO 含量(质量分数为0~2．0％)和氮化温度对硅粉氮化的影响.结果表明：原位合成的NiO 可以促进硅粉的氮化,随着 NiO 含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势；随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1400℃、NiO 质量分数为1．0％时硅粉全部氮化；制备的 Si3 N4呈晶须状,直径为65~497 nm,其生长符合固-液-气-固(SLGS)生长机理.
关键词:
硅粉
,
Si3 N4
,
催化氮化
,
NiO
王强
,
顾江
,
花国然
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.12.028
研究了一种非晶硅薄膜的激光低损伤晶化工艺方法，通过在非晶硅薄膜上淀积氮化硅薄膜方法研究激光退火改善非晶硅薄膜的质量。实验结果表明，随着激光退火频率的增加，有无增透膜样品的衍射强度均会出现先下降后上升再下降的现象。增透膜样品的最强衍射峰出现在10~15 Hz 激光退火后，而无增透膜样品的最强衍射峰则出现在20 Hz 激光退火后。SEM分析表明，应用增透膜可以降低非晶硅薄膜的激光退火脉冲频率，并减少非晶硅薄膜激光损伤，可作为一种低损伤的激光晶化工艺。
关键词:
激光晶化
,
增透膜
,
氮化硅
,
非晶硅薄膜
姜坤
,
郑治祥
,
朱文振
,
吕珺
,
徐光青
机械工程材料
以水玻璃为硅源，炭黑为碳源，利用碳热还原氮化法制备了Si3N4粉体，研究了氮化温度、氮化时间和碳硅物质的量比对产物结构的影响，并对其形貌进行了观察。结果表明：氮化温度高于1400℃时，产物全部为Si3N4；氮化时间大于5h时，可以得到较纯的α-Si3N4；碳硅物质的量比为3：1时，产物全部为Si3N4；碳硅物质的量比为4：l的前躯体在1400℃氮化5h后得到的Si3N4粉体为不规则的、分散性良好的颗粒，颗粒尺寸为0．3～1μm；碳硅物质的量比为3：1的前躯体在1450℃氮化5h后得到的Si3N4粉体分散性良好，具有规则锤状形态。
关键词:
氮化硅
,
硅酸凝胶
,
碳热还原
