刘冠芳
,
周芳
,
李晓力
,
杜商安
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.011
研究了SiO2-B2O3-Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能.结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75:25,(Si,B,Bi)摩尔比为15:30:55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4.
关键词:
钛酸锶
,
Si-B-Bi-O
,
陶瓷
,
介电性能
