王全彪
,
杨瑞东
,
王茺
,
杨宇
材料导报
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
,
成岛温度
王全彪
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杨瑞东
,
杨宇
材料导报
建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究.结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加-饱和-减小的变化规律.在低温和高入射率下,岛密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长.而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡,薄膜呈紧致生长.
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
