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乔永红 , 王绍青
金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.03.002
用分子动力学方法模拟了Si晶体中的空位运动.采用Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用.在追踪空位的跳动时,采用两种方法对不同温度下的空位跳动进行了计算.通过对空位微观热运动的轨迹的分析计算,得到了空位激活能,并对Thomas方法中关于空位跳跃的强制定义给出了统计意义上的解释.计算分析表明,空位的绝大多数跳动都是经历过渡态完成的.
关键词: Si晶体 , 空位迁移能 , 分子动力学 , 扩散
金属学报
用分子动力学方法模拟了Si晶体中的空位运动. 采用Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用. 在追踪空位的跳动时，采用两种方法对不同温度下的空位跳动进行了计算. 通过对空位微观热运动的轨迹的分析计算，得到了空位激活能，并对Thomas方法中关于空位跳跃的强制定义给出了统计意义上的解释. 计算分析表明,空位的绝大多数跳动都是经历过渡态完成的.
关键词: Si晶体 , vacancy migration energy , molecular dynamics
段沛
材料研究学报
研究了Si晶体中微印压和氧沉淀应力场开动位错的临界切应力τc结果表明,在充分大的距离内,微印压或氧沉淀连同邻近的位错群可视为一个集中应力芯;其应力场随距离增大而趋于零.在此基础上获得了求τc的公式,求得区熔和直拉Si单晶在900℃时的τc为3.1×103和5.3×103N.cm-2.
关键词: 位错 , null , null
