王苹
,
梅炳初
,
闵新民
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洪小林
,
周卫兵
功能材料
采用热压工艺以Ti、Al、Si元素粉和活性炭为原料,分别以2.0Ti/1.1Al/1.0C(摩尔比)及以0.1和0.2mol的Si取代Al,合成了Ti2AlC/Ti3AlC2块体材料.通过建立Ti2AlC、Ti3AlC2和掺Si的计算模型,计算了平均原子净电荷和平均共价键键级.结果表明:以元素粉2.0Ti/1.1Al/1.0C为原料在1450℃热压60min合成只含有非常少量Ti3AlC2的Ti2AlC材料;当Si取代Al达到0.2mol时,作用非常明显,表现为使同一温度下Ti3AlC2含量增加而Ti2AlC含量减少.另外,应用掺Si后对原子净电荷和共价键键级的影响解释了实验结果.
关键词:
Si掺杂
,
热压
,
Ti2AlC/Ti3AlC2
,
理论分析
李少鹏
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谭杰
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赵玉强
,
王维
,
黄荣进
,
李来风
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.05
为了探究Si元素对反钙钛矿材料Mn3Zn0.6Ge0.4N的负热膨胀和磁性能的影响,利用放电等离子体烧结法制备了一系列Si掺杂的Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN(x =0,0.1,0.15,0.2)材料.材料的结构通过多晶粉末X射线衍射进行了表征,测试结果表明实验成功的制备了Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN化合物(空间群Pm-3m).接着,对Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN进行了热膨胀性能测试,发现随着Si掺杂量的增加,样品的负热膨胀温区的起始温度向低温移动,而负热膨胀温区的宽度不变.Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN的磁性能由物理性能测试系统(PPMS)进行了测试,结果表明,掺杂Si元素之后,在370 K附近的顺磁-反铁磁转变完全消失,这与掺杂Si元素之后,负热膨胀起始温度迅速向低温移动的现象一致,证明负热膨胀现象与磁转变的紧密联系.另外,Si掺杂使Mn3Zn0.6Ge0.4N在低温阶段出现自旋玻璃态现象,同时激发了样品的低温铁磁性.
关键词:
Mn3Zn0.6Ge0.4N
,
Si掺杂
,
放电等离子体烧结
,
负热膨胀性能
,
磁性能
刘艳敏
,
张雪景
,
刘敬泽
,
张艳峰
,
魏雨
人工晶体学报
以TiCl_4和Na_2SiO_3为原料,采用水热法制备了一系列掺杂Si的纳米TiO_2粉体.采用X射线衍射分析(XRD),红外光谱(FT-IR),紫外可见吸收光谱(UV-vis DRS)对样品进行了表征.结果表明:掺杂Si的TiO_2样品粒径较小,样品中锐钛矿的百分含量有了一定提高.同时发现在Si掺杂的样品中有Ti-O-Si键的存在.掺杂Si的TiO_2样品的光催化活性较未掺杂样品有了较大提高.并讨论了Si掺杂提高TiO_2光催化活性可能的原因.
关键词:
Si掺杂
,
TiO_2
,
水热法
,
光催化活性
周立颖
,
王福合
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00408
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了γ-TiAl (100)表面附近空位、Si和W掺杂的形成能,以及它们对O原子在该表面附近吸附和扩散的影响.计算结果表明,在掺杂体系中,Si原子更容易替代表面第1层Al原子的位置,而W原子更容易替代表面第2层Ti原子的位置,且2者均使其近邻吸附O原子的吸附能升高.因此,Si更容易偏析在表面第1层上,而W更容易偏析在表面第2层上,且抑制了O原子在γ-TiAl (100)表面的吸附.在空位缺陷体系中,表面第1层Ti原子空位比Al原子空位更易形成.在干净表面、Ti空位表面、Si掺杂和W掺杂表面体系中,O原子从表面上到表面下第2层扩散的能垒分别为1.98,1.34,2.53和2.69 eV,相对于干净表面,Ti空位缺陷的形成使得O原子在γ-TiAl (100)表面附近的扩散更加容易,而Si和W掺杂使得O原子在γ-TiAl(100)表面上的扩散更加困难.
关键词:
γ-TiAl (100)表面
,
Si掺杂
,
W掺杂
,
空位
,
O的扩散
