谢莲革
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汪建勋
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沈鸽
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翁文剑
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杜丕一
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韩高荣
功能材料
以单丁基三氯化锡(MBTC)和SbCl3为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD法)在不同的基板温度下制备Sb掺杂SnO2薄膜,用XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响.实验表明550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降.
关键词:
APCVD法
,
Sb掺杂SnO2薄膜
,
基板温度
郭玉忠
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王剑华
,
黄瑞安
,
王贵青
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.022
通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达1020cm-3,电阻率～10-2Ω.cm,透光率高达90%,SnO2膜禁带宽度Eg≈3.7～3.80eV.
关键词:
Sb掺杂SnO2薄膜
,
导电性测量
,
透光率与反射率
