何威
,
姜宏
,
李长久
,
俞琳
,
夏文宝
材料科学与工程学报
采用差热(Differential Thermal Analysis,DTA)和X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)对xV2O5-(100-x) P2O5(摩尔比,70≤x≤90)和(80-x) V2O5-20P2O5-xSb2O3(摩尔比,1≤x≤10)系列玻璃试样进行了分析,并采用修正的Kissinger方程对玻璃的形成能力和热稳定性进行了表征,发现:V2O5-P2O5系封接玻璃在析晶温度处理后,晶相为V2O5,随着Sb2O3引入量的逐渐增大,玻璃转变温度(Glass Transition Temperature,Tg)变化较小(≤20.5K),而玻璃的稳定性因子| Tcs-Tg | (Tcs,Low Limit Crystallization Temperature)逐渐从72.0K增大到157.2K,析晶活化能由126.9KJ/mol逐渐增大到193.0KJ/mol,说明Sb2O3的引入能增大玻璃的形成能力与热稳定性.
关键词:
Sb掺杂
,
V2O5-P2O5系统封接玻璃
,
形成能力
,
热稳定件
陈野
,
许维超
,
温青
,
段体岗
表面技术
采用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂Ti/SnO2电极,通过XRD,SEM,EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段,研究了Sb的掺杂对电极结构、形貌、电催化性能、使用寿命的影响.结果表明:Sb的掺入能有效改善电极的表面晶体结构和形貌,降低电极的苯酚氧化电位和液界电阻,提高电极的电催化效率;当制备的溶胶中锡锑比为9∶1时,制得的电极表面形貌平整、致密,稳定性和电催化效果最好.
关键词:
溶胶凝胶法
,
Ti/SnO2电极
,
Sb掺杂
,
电催化性能
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
关键词:
ZnTe薄膜
,
Sb掺杂
,
真空蒸发
,
光学性能
,
电学性能
时睿智
,
陈怡
,
张昀
,
朱铁军
,
赵新兵
材料科学与工程学报
采用真空封管熔炼缓冷和热压法制备Pb9.6SbmTe3Se7合金样品（m=0.15,0.2,0.25,0.267,0.3,0.35,0.4）,研究Sb的掺杂量对热电性能的影响。结果显示,除m=0.4的样品由于Sb含量过多呈金属特性外,随着Sb含量的增加,载流子迁移率降低,电导率减小,热导率呈减小趋势,且都明显低于PbTe的热导率。HRTEM显示样品中广泛存在着不同形貌的纳米微区,增加了声子散射,有效降低热导,提高热电优值。其中Pb9.6Sb0.3Te3Se7样品在677K时ZT达到的1.14,与目前可复现的n型掺杂PbTe基材料的最大ZT值相比,增长近50%。
关键词:
PbTe
,
Sb掺杂
,
真空熔炼缓冷
,
热电性能
袁春华
,
时亮
,
李广
,
黄胜利
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.004
我们详细研究了Ru1-xSbxSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ(Ru1222Gd)和RuSr2Sm2-yCeyCu2O10-δ(Ru1222Sm)系列样品的红外吸收光谱.实验结果表明,样品在680 cm-1,600 cm-1,530 cm-1,400,380cm-1附近分别出现典型的红外吸收峰.通过与类似结构的高温超导体进行比较,对吸收峰进行了指认和分析.同时,我们还分析讨论了体系的晶格结构、声子振动和输运性质的相互关系.研究结果表明,Sb掺杂和Ce含量的变化对平面氧O(3)沿a轴的伸缩振动和顶点氧0(2)沿z轴的伸缩振动有着不同的影响.
关键词:
Ru1222
,
红外光谱
,
Sb掺杂
,
Ce含量
李广忠
,
李纲
,
王辉
,
向长淑
,
庄建东
,
刘茜
,
汤慧萍
稀有金属材料与工程
利用热分解方法在多孔钛上制备了Sb掺杂纳米SnO2电极.也研究了该电极降解甲基橙的电化学性能.SEM和XRD测试表明,在多孔钛基体上可获得完整的、无裂缝的涂层.无裂缝的涂层表面由粒径范围在80～230 nm的Sb掺杂SnO2纳米颗粒组成.HRTEM测试结果表明,SnO2纳米颗粒由5～6 nm细小颗粒构成.在其余条件相同的情况下,强化寿命试验表明,Sb掺杂纳米SnO2/多孔Ti电极的寿命远大于致密钛基体上的电极.Sb掺杂纳米SnO2/多孔Ti电极可将浓度为100 mg/L的甲基橙溶液降解到8 mg/L,显示出该电极具有很强的有机物污染物电催化降解能力.并指出采用简单的表面处理技术,将使多孔钛具有很高的潜力被应用到有机污水降解领域.
关键词:
Sb掺杂
,
纳米SnO2
,
多孔Ti电极
,
甲基橙
祝柏林
,
曾大文
,
谢长生
,
胡木林
,
宋武林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.019
以不同摩尔比的Zn-Sb合金为原料,采用加热蒸发氧化-冷凝的方法在相同的试验条件下获得了纯的和Sb掺杂的ZnO纳米颗粒.纳米颗粒的形貌、结构和化学状态分别通过TEM、HRTEM、XRD和XPS进行了表征.通过TEM观察发现:随原料中Sb量的增加,颗粒形貌由纯ZnO的四针状纳米晶须逐渐变化为棒状、四方形和六方形的颗粒状.六方形纳米颗粒的HRTEM分析表明:颗粒是结晶完好的纤锌矿结构的单晶,(1100)晶面间距比文献报道的纯ZnO的数值大.XRD没有检测到Sb掺杂ZnO纳米颗粒除ZnO外的其它物相,但XPS分析确定了Sb元素存在于纳米颗粒中.讨论了四针状纳米ZnO的形成及Sb的存在对颗粒形态的影响.
关键词:
蒸气氧化
,
Sb掺杂
,
ZnO
,
四针状纳米晶须
韩志明
,
张忻
,
路清梅
,
张久兴
,
张飞鹏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11550
以Mg、Si、Sn、Sb块体为原料,采用熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了n型(Mg2Si1-xSbx)0.4-(Mg2Sn)0.6(0≤x≤0.0625)系列固溶体合金.结构及热电输运特性分析结果表明:当Mg原料过量8wt％时,可以弥补熔炼过程中Mg的挥发损失,形成单相(Mg2Si1-xSbx)0.4-(Mg2Sn)0.6固溶体.烧结样品的晶胞随Sb掺杂量的增加而增大；电阻率随Sb掺杂量的增加先减小后增大,当样品中Sb掺杂量x≤0.025时,样品电阻率呈现出半导体输运特性,Sb掺杂量x＞0.025时,样品电阻率呈现为金属输运特性.Seebeck系数的绝对值随Sb掺杂量的增加先减小后增大;热导率k在Sb掺杂量x≤0.025时比未掺杂Sb样品的热导率低,在Sb掺杂量x＞0.025时高于未掺杂样品的热导率,但所有样品的晶格热导率明显低于未掺杂样品的晶格热导率.实验结果表明Sb的掺杂有利于降低晶格热导率和电阻率,提高中温区Seebeck系数绝对值；其中(Mg2Si0.95Sb0.05)0.4-(Mg2Sn)0.6合金具有最大ZT值,并在723 K附近取得最大值约为1.22.
关键词:
Mg2Si基热电材料
,
Sb掺杂
,
热电性能
,
放电等离子烧结
时亮
,
冯双久
,
李广
,
李晓光
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.03.004
本文利用X射线衍射、电阻率测量等实验手段对Ru1-xSbxSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ(Ru-1222)体系的结构和正常态性质进行了研究.结果表明,Sb掺杂明显抑制超导电性,这可能是由于Sb掺杂引起体系无序度增加,另一方面,Sb在Ru位的掺杂可加剧RuO6八面体的变形,从而使CuO2面的空穴载流子被磁捕获或磁散射的程度增加.Sb掺杂导致载流子被无序散射和磁捕获或磁散射,这些都会阻碍载流子的运动,使载流子局域化.样品在铁磁转变点温度以下的正常态电阻率可由可变程跃迁模型很好地描述.发现局域化长度随着掺杂而降低,这表明空穴局域化程度随着无序度的增加而提高.样品在铁磁转变点温度以上的正常态电阻率可由小极化子跃迁模型很好地描述.
关键词:
Ru1222
,
Sb掺杂
,
载流子局域化
樊毅
,
李小亚
,
蒋永锋
,
包晔峰
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130659
研究了Sb掺杂对N型half-Heusler化合物Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn1-xSbx (x=0、0.002、0.005、0.01、0.02、0.03)热电传输特性的影响。结果显示，随着Sb掺杂量增加，材料的载流子浓度提高，电阻率降低，尤其是低温(<300 K)电阻率下降显著，赛贝克系数降低，且取得最大赛贝克系数的温度向高温端移动，最大功率因子增加~20%，材料的热导率增大，主要是电子热导率提高的贡献，晶格热导率影响不大；当 Sb 掺杂量较低时(x<0.01)，材料的最大热电性能优值ZT值在0.77左右，掺杂量x=0.005的样品ZT值在整个温度区间内最优。
关键词:
N型Half-Heusler
,
Sb掺杂
,
热电传输特性
