刘耀诚
,
周和平
,
乔梁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.008
采用(CaY)F3为助烧结剂,低温烧结(1650C,6h)制备出热导率为208W/m的AlN陶瓷,在烧结过程中,热导率随保温时间的变化服从方程：λ(t)=λ∞-Δλ(0)e-t/τ.用SEM、SThM、TEM和HREM对AlN陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究,结果表明,晶粒尺寸对AlN陶瓷热导率的影响可以忽略,而分隔在AlN晶粒之间的晶界相会降低热导率.
关键词:
氮化率
,
烧结
,
热导率
,
显微结构
,
扫描热显微镜
