于伟东
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王曦
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陈静
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张苗
功能材料
注氧隔离法(SIMOX)和体硅智能剥离法(smart-cut)是目前制备绝缘体上的硅(SOI)材料的最重要的两种方法.而离子注入是其中最主要工艺过程.本文简述了等离子体基离子注入(PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状.讨论了两种方法中需要考虑的共性问题,包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等.并且针对SIMOX和smart-cut各自的工艺特点,分别讨论了不同工艺参数的选择、工艺中出现的主要问题和一些已经得到的解决办法.
关键词:
SOI材料
,
PBII
,
SIMOX
,
Smart-Cut
夏庆锋
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杨德仁
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马向阳
,
阙端麟
材料导报
简述了利用注氧隔离法(SIMOX)制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施.
关键词:
缺陷
,
SOI材料
,
表征
,
SIMOX
邢玉梅
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陶凯
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俞跃辉
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郑志宏
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杨文伟
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宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
