林德娟
,
沈水发
,
陈耐生
,
黄金陵
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.10.013
对纳米半导体材料SO2-4/La-α-Fe2O3进行了IR、XPS分析和比表面积测定实验,并制成厚膜型酒敏元件,探索了焙烧温度与灵敏度的关系以及气敏元件的稳定性. 结果表明,样品中SO2-4与La-α-Fe2O3表面的金属离子(Fe3+或La3+)结合构型是无机桥式配位型,SO2-4的加入使Fe2p3/2电子结合能从710.85 eV提高到712.10 eV,表面Fe3+在SO2-4的作用下显示出更正的电位,从而改变了半导体性质,由p型转变成为n型;在焙烧温度为450 ℃烧结的SO2-4/La-α-Fe2O3元件,对酒精的灵敏度最高(S=35.7)、稳定性好.
关键词:
纳米材料
,
SO2-4/La-α-Fe2O3
,
表面结构
,
酒敏性
