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0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术

王庆学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.026

分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素.界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因.

关键词: SEEI , 界面缺陷 , 电荷泵