张俊敏
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管伟明
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李艳琼
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毕珺
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谭志龙
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王传军
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张昆华
贵金属
以不同晶面的Si片作为基底,室温下,采用射频磁控溅射的方法制备得到Ru非磁性薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的结构和形貌.研究不同基底材料对Ru中间层结构和形貌的影响.结果表明:以单晶Si(100)、Si(110)、Si(111)片作为基底制备的Ru薄膜均呈(002)晶面的择优取向生长；Ru-Si(100)、Ru-Si(110)和Ru-Si(111)薄膜表面均由细小的圆形晶粒组成.Si(111)面上生长的Ru薄膜表面颗粒尺寸最小,表面粗糙度最大,有利于磁记录层磁学性能的提高.
关键词:
金属材料
,
非磁性中间层
,
Ru薄膜
,
射频磁控溅射
鞠洪博
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贺盛
,
陈彤
,
陈敏
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郭丽萍
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喻利花
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许俊华
材料开发与应用
采用射频磁控溅射法在功率用半导体散热片Mo上制备了不同本底真空度的Ru薄膜,利用能谱仪、X射线衍射仪、纳米划痕仪及电化学工作站等仪器研究了本底真空度对Ru薄膜化学成分、微观结构、膜基结合力及耐蚀性能的影响.结果表明,随着本底真空度的降低,Ru薄膜中氧含量逐渐降低,当本底真空度为6.0×10-4 Pa时,薄膜中氧含量为0％(原子分数);当本底真空度为6.0×10-2pa时,薄膜两相共存,即hcp-Ru+fcc-RuO2,此时,薄膜中RuO2的相对质量分数约为13.7％;随着本底真空度的降低,薄膜中fcc-RuO2相对质量分数逐渐减少,当本底真空度为6.0 ×10-4 Pa时,薄膜中fcc-RuO2相消失,为hcp-Ru单一相结构;受RuO2相的影响,薄膜晶粒尺寸及膜基结合力随本底真空度的降低而逐渐增加.研究表明,在3.5％ NaCl溶液,本底真空度为6.0×10-4 Pa的Ru薄膜耐蚀性能优于Mo衬底.
关键词:
射频磁控溅射
,
Ru薄膜
,
本底真空度
,
耐蚀性能
