孙叶
,
孙晓燕
,
介万奇
,
王涛
,
罗林
,
傅莉
人工晶体学报
通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25～100℃条件下的碲铟隶晶体结构进行了研究.借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度.结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,品格常数约为0.63163 nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降低,Hg空位的浓度有所提高;MIT的品格常数呈现出先减小后增大的趋势.
关键词:
碲铟汞
,
空位
,
晶格常数
,
Rietveld方法
章应
,
罗永春
,
王大辉
,
张法亮
,
康家晨
,
闫如煦
功能材料
系统研究了LaMgNi3.7 M0.3(M=Ni、Al、Mn、Co、Sn、Cu)合金的组织结构和电化学性能.XRD和电子探针显微分析(EPMA)结果表明:该系列合金主相均为LaMgNi4相,其中含Mn、Cu和Co元素在LaMgNi4合金相中有一定的固溶度,LaMgNi3.7Sn0.3合金中的Sn元素主要以LaNiSn相析出;XRD全谱拟合分析表明:LaMgNi3.7Al0.3中Al元素主要占据在LaNi5相的3g位置.合金化元素在LaMgNi4相中的固溶度从大到小的顺序是Mn＞Cu＞Co＞Al＞Sn.电化学实验表明,该系列合金经1～3次循环即可活化,最大放电容量由245.2mAh/g(M=Sn)变化至293.2mAh/g(M=Co),但合金电极的循环稳定性均较差.合金电极的高倍率放电性能(HRD900%)从大到小依次为Al＞Sn＞Cu＞Mn＞Ni＞Co,其中氢原子在合金中的扩散对合金电极的高倍率放电性能起主要作用.
关键词:
贮氢合金
,
LaMgNi3.7M0.3合金
,
晶体结构
,
Rietveld方法
,
电化学性能
罗广圣
,
黄军平
,
徐鹏
,
唐少龙
,
蔡宏灵
,
徐金
,
吴小山
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2004.05.017
用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品.用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构.用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应.对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多.对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加.
关键词:
磁熵变
,
Rietveld方法
,
晶体结构
,
退火
,
磁卡效应
韩甫田
,
郭立平
高分子材料科学与工程
联用Rietveld方法和Fourier过滤技术,首先以标准试样PbSO4的实测X射线衍射全谱图数据进行精修和分离,获得其结晶相结构参数和低本底值.然后将此联用方法推广到半结晶聚酯(PET)试样中,精修其结晶相结构参数,并同时分离出非晶相的散射数据.在两相分离过程中,关键问题之一,是必须将非晶相的X射线散射曲线用多个非晶散射峰表征,此外还指出,评价结果的正确依据是,由两相分离同时获得的结晶相结构参数,和由被分离出来的非晶相散射数据所计算的径向分布函数(RDF)都必须合理.
关键词:
聚酯
,
结晶相
,
非晶相
,
结构
,
Rietveld方法
,
Fourier过滤技术
谢东华
,
赖新春
,
陈秋云
,
张延志
,
徐钦英
,
罗丽珠
稀有金属材料与工程
采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究.结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好.UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2) nm,c=0.67298(3) nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证.
关键词:
UFeGa5
,
助熔剂法
,
晶体结构
,
Rietveld方法
尚飞
,
简基康
,
郑毓峰
人工晶体学报
采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用XRD、SEM对样品进行了表征并使用Rieteveld粉末衍射峰形全谱拟合方法对不同水热反应条件下合成二硫化镍粉晶的晶体结构进行了研究.并用多相全谱拟合相定量分析法对水热合成二硫化镍粉晶中的杂相质量百分比进行了计算,分析了NiS2粉晶的合成机理.
关键词:
二硫化镍
,
水热法
,
Rietveld方法
,
定量分析
张亚梅
,
王智河
,
吴小山
,
张兵
材料导报
利用固相反应法合成了(La1-xDyx)2/3 Ca1/3 MnC3 (x=0、0.1、0.2)材料,研究阳离子无序对微结构和电输运性能的影响.Rietveld方法拟合XRD结果表明,随着Dy掺杂浓度的增加,晶胞参数和Mn-O键长键角发生了明显的变化,造成MnO6八面体畸变.电输运性能显示:样品电导率随Dy掺杂量的增加而减小,其导电机制符合半导体小极化子模型.Dy掺杂浓度的增加使得钙钛矿ABO3的A位阳离子无序度增加,影响了样品的微结构；A位无序效应增强了载流子的晶格散射,抑制了电导率.
关键词:
电导率
,
Rietveld方法
,
无序
,
小极化子模型
鲁玉明
,
范峰
,
蔡传兵
,
曹世勋
,
张金仓
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.038
用电弧炉熔炼法制备了新的三元金属间化合物Ce5AgBi3,用Rietveld方法对其结构进行了精修,该化合物为Hf5CuSn3结构(空间群p63/mcm),其中Ce、Ag和Bi分别占据Hf、Cu和Sn的位置,晶胞参数为: a=b=9.7163(3)A,c=6.6228(2)A,V=541.47(5)A3.该结构特点是沿着c轴方向的层状结构.其中6g的Ce和Bi组成六边形网状平面结构,2d的Ag和4f位置的Ce分别占据由Ce-Bi六边形所形成的沿着c轴方向的两种隧道中.用PPMS对Ce5AgBi3的磁性和比热性能做了分析.该化合物低温下为反铁磁性,奈尔温度为3.8K,高温时符合居里-外斯定律,有效磁量子数为2.67μB,表明其磁矩都是由Ce3+提供.
关键词:
金属间化合物
,
铈
,
Ce5AgBi3
,
Rietveld方法
何维
,
张吉亮
,
曾令民
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2006.05.008
利用X射线粉末衍射技术和Rietveld结构修正方法对Al14Gd5Si进行了研究,新三元化合物Al14Gd5Si具有Ni3Sn结构类型,空间群为P63/mmc(No.194).点阵参数为a=0.63022 (1)nm,c=0.45856 (1)nm,指标化的可靠性因子F30=218.1(33).用Rietveld方法对该化合物的晶体结构成功地进行了精化修正,精修得到的R因子为Rp=0.119,Rwp=0.157.
关键词:
Al14Gd5Si
,
晶体结构
,
Rietveld方法
