杨晓芳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.03.012
研究了含Rashba自旋轨道耦合的磁电调制半导体二维电子气中弹道电子反常位移(Goos-H(a)nchen位移,即GH位移),实现了弹道电子的自旋分离,为自旋分离器件的设计提供了理论依据.研究结果表明:通过调节结构的各个参数包括入射角、磁场强度和Rashba自旋轨道耦合系数,可以有效地调控GH位移;位移在一定条件下可以为正也可以为负;体系中弹道电子的GH位移和自旋极化态有密切关系,这个自旋相关的位移可以用来分离不同自旋极化的电子束.基于这些现象,提出了一种利用GH位移在半导体2DEG中分离不同自旋极化电子的方法,这些现象在设计自旋电子学器件上有所作用.
关键词:
光电子学
,
自旋分离
,
Goos-H(a)nchen位移
,
Rashba自旋轨道耦合
徐中辉
,
肖贤波
,
肖文
,
陈宇光
人工晶体学报
采用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合(spin-orbit coupling,简记SOC)效应的类叉形纳米结构中电子的自旋极化输运性质.结果表明在非自旋极化电子入射时系统的两个出射端能得到大小相等但极化方向相反的两个自旋极化电流,其物理根源是由Rashba SOC和系统的几何结构导致的两出射端具有大小不相等的自旋电导.当系统中引入无序时,无序强度对自旋极化电流的影响较弱.这些效应说明所研究的系统有可能用来设计自旋极化电流分离器.
关键词:
类叉形纳米结构
,
自旋极化输运
,
Rashba自旋轨道耦合
