材料期刊网

用射频PCVD法沉积Si-B-N复合薄膜

于俊峰 , 于翔 , 王成彪

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2002.04.008

使用工业射频等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)设备,通过控制合理的工艺参数,在不同的基体负偏压下,分别制备出了Si-B-N非晶以及含有h-BN、c-BN显著结晶相的Si-B-N复合薄膜.提出了这两种不同晶形薄膜的形成模型.

关键词: RF-PCVD装置 , Si-B-N复合薄膜 , 等离子体化学气相沉积