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射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响

童杨 , 王昆仑 , 刘媛媛 , 李延辉 , 宋淑梅 , 杨田林

人工晶体学报

在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84％,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.

关键词: 铟锡锌氧化物薄膜 , 光学带隙 , 光电特性 , 射频功率

射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响?

鲁媛媛 , 李贺军 , 杨冠军 , 蒋百灵 , 杨超

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.006

于不同射频功率下制备出非晶 Si 膜并对其进行真空退火处理，采用 XRD、TEM和少子寿命测试仪等检测手段分析了退火前后薄膜的微观结构及电学性能。研究发现，随着射频功率的增加，薄膜的中程有序度和少子寿命均呈先增后减的趋势。经真空退火处理后，非晶硅膜得以晶化，少子寿命较退火前有大幅提高；另外，退火后薄膜的晶化率和少子寿命随射频功率的变化趋势与退火前一致，说明同一热力学条件下薄膜的中程有序度越高越容易发生晶化。

关键词: 硅膜 , 射频功率 , 真空退火 , 微观结构 , 少子寿命

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/36/6/064013

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