Xuehua ZHANG
,
Yuanbin KANG
,
Sipeng LIU
,
Qiang LI
,
Ying YANG
材料科学技术（英文）
TaN/NbN multilayered coatings with nanoscale bilayer periods were synthesized at different Ar/N2 flow rate by r.f. magnetron sputtering. XRD and nano indenter were employed to investigate the influence of Ar/N2 flow rate on microstructure and mechanical properties of the coatings. The low-angle XRD pattern indicated a well-defined composition modulation and layer structure of the multilayered coating. All multilayered coatings almost revealed higher hardness than the rule-of-mixtures value of monolithic TaN and NbN coatings. At FAr:FN2 =10, the multilayered coating possessed excellent hardness, elastic modulus, internal stress, and fracture resistance, compared with ones synthesized at other Ar/N2 flow rates. The layered structure with strong mixture of TaN (110), (111), (200) and Nb2N (101) textures should be related to the enhanced mechanical properties.
关键词:
RF magnetron sputtering
,
TaN/NbN多层膜
,
纳米尺度
穆武第
,
程海峰
,
唐耿平
,
陈朝晖
材料导报
通过射频磁控溅射并控制溅射时间在玻璃基底上沉积了不同厚度和成分的p型Bi2Te3薄膜.Bi2Te3薄膜主要以(221)晶面平行于基底进行生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构;退火后薄膜沿平面方向形成片状结构.薄膜的电导率和Seebeck系数受薄膜厚度和成分的影响,退火前受薄膜厚度的影响较大,退火后受薄膜成分和均匀性的影响较大,自掺杂Bi质量分数在5%左右时,薄膜功率因子约为760μW/(K2·m).
关键词:
射频磁控溅射
,
p-Bi2Te3
,
电导率
,
Seebeck系数
孟军霞
,
马全新
,
王超
材料导报
采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,硅衬底和玻璃衬底均出现了(100)和(002)衍射峰,玻璃的(002)衍射峰强于硅.同时随着退火时间的延长,(002)峰强度基本不变,(100)峰的强度逐渐增强,薄膜呈(100)取向生长,表明退火时间可能会引起晶体生长过程中择优取向的改变.退火1.5h样品可以得到最佳的(002)取向.随着退火时间的延长,样品的PL谱中各发光峰强度先增强后减弱随后又增强,且蓝光双峰强度大于绿光峰强度;位于443nm的蓝光发光峰发生了蓝移.
关键词:
磁控溅射法
,
AZO薄膜
,
结构特性
,
光学特性
段良飞
,
杨雯
,
杨培志
,
张力元
,
涂晔
,
李学铭
人工晶体学报
利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响.结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100W,衬底温度200℃.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶硅薄膜
,
均匀性
,
光学吸收
张国庆
,
王文旭
,
李慷
,
冯治棋
,
罗永春
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20130512
采用射频磁控溅射装置在Si(111)衬底上分别制备了Pd单膜、LaFeO3单膜和LaFeO3/Pd复合薄膜,利用XRD,SEM,EDS,XPS和电化学测试方法研究了退火处理对LaFeO3/Pd薄膜材料的相结构、形貌、化学组成以及电化学性能的影响.研究结果表明:未退火的溅态LaFeO3薄膜呈无序非晶态结构,随退火温度升高,600℃退火1h后LaFeO3薄膜晶化为钙钛矿型正交结构,此时薄膜晶粒尺寸呈增大趋势;800℃退火时,随退火时间增加,薄膜晶粒尺寸变化不明显,退火前LaFeO3薄膜表面平整、致密,退火后薄膜表面出现裂纹.XPS分析表明,LaFeO3薄膜中的氧以晶格氧、化学吸附氧和物理吸附氧三种结合状态形式存在,退火后LaFeO3薄膜中化学吸附氧转变为晶格氧.电化学测试结果表明,Pd膜电极和LaFeO3膜电极放电容量很低(3.9 ～19 mAh·g-1),而LaFeO3/Pd复合薄膜在退火前后的电极放电容量分别达到50和180.7 mAh·g-1,LaFeO3单膜和LaFeO3/Pd复合薄膜电极的交换电流密度I0分别为为3.36和590.51 mA·g-1.镀Pd后能极大改善和提高LaFeO3/Pd复合膜电极的电催化活性和电化学放电容量.
关键词:
射频磁控溅射
,
LaFeO3/Pd薄膜
,
热处理
,
微观组织
,
电化学性能
,
稀土
郭继花
,
黄致新
,
崔增丽
,
杨磊
,
邵剑波
,
朱宏生
,
章平
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°.
关键词:
射频磁控溅射
,
GdTbFeCo
,
磁光性能
,
溅射工艺
闫勇
,
张艳霞
,
李莎莎
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜，研究了不同的真空无硒退火温度（150～350。C）对CIGs薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外一可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明，室温下制备的CIGS薄膜为非晶态，随退火温度升高发生非晶CIGS→，CuSe→，CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低，光透过性能最差。退火温度超过200。C便生成CIGS相，C1GS相的结晶质量随退火温度升高而改善，薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
关键词:
退火温度
,
射频磁控溅射
,
CIGS薄膜
,
相变历程
任国强
,
邢金柱
,
李晓红
,
郭建新
,
代秀红
,
杨保柱
,
赵庆勋
功能材料
应用射频磁控溅射法在（001）Si衬底上制备了Cu（120nm）/Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）/Si异质结,借助原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和四探针测试仪（FPP）等方法研究了Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
关键词:
Cu互连
,
阻挡层
,
Ta/Ti-Al
,
射频磁控溅射
陈乐
,
谢敏
,
金璐
,
王锋
,
杨德仁
材料科学与工程学报
利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1＜x＜2)薄膜.通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs).而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象.这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成“接触”Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变.
关键词:
射频磁控溅射
,
富硅氧化硅
,
硅纳米晶
,
光致发光
,
导电性
卜继国
,
毛昌辉
,
张艳
,
张心强
,
尉秀英
,
杜军
稀有金属材料与工程
运用扫描电镜、扫描原子探针、X射线衍射仪和动态法分析了高硼硅玻璃表面改性对ZrCoRE薄膜结构和吸气性能的影响.结果表明,ZrCoRE薄膜的纳米组织受衬底表面的影响较大,其表面粗糙度和结构无序度随衬底粗糙度增加而增大:经300℃激活30 rmin后,Ⅰ-型薄膜(Ra=5 nm)吸气性能随时间下降较快,Ⅱ-型(Ra=7 nm)、Ⅲ-型(Ra=59nm)及Ⅳ-型薄膜(Ra=125 nm)的吸气速率依次增大并具有平稳的吸气平台,Ⅳ-型薄膜吸气性能最好.
关键词:
ZrCoRE
,
吸气薄膜
,
射频磁控溅射
,
结构调控
,
吸气性能
