赵昆
,
黄康权
,
张丽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.047
用对靶溅射技术在MgAl2O4 (100) (MAO) 和SrTiO3 (100) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜.基底温度为700℃时,Pt薄膜外延生长为(200)取向,Pt/STO 薄膜的电阻率很低,而Pt/MAO 薄膜表现出高电阻特征.此外,Pt (50nm)/La0.67Ca0.33MnO3 (50nm)/STO的制备和研究表明,在包括庞磁电阻材料的器件设计中,Pt是一种较好的电极材料.
关键词:
Pt 薄膜
,
溅射
,
X射线衍射
,
原子力显微镜
,
庞磁电阻
