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热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响

宋志棠 , 任巍 , 吴小清 , 张良莹 , 姚熹

材料研究学报

随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层可提高Pt薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定化快速热处理可提高Pt薄膜在高温下的连续性.并研究了Pt薄膜对PLT铁电薄膜的成品率和分散性的影响.

关键词: Pt薄膜 , null , null , null , null

脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究

李理 , 朱俊 , 李扬权 , 经晶 , 周文 , 罗文博 , 李言荣

功能材料

采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°.原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm.四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1/962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求.

关键词: 脉冲激光沉积(PLD) , Pt薄膜 , 电学性能 , 表面形貌 , 蓝宝石衬底

热处理工艺对(111)取向Pt薄膜物相与结构的影响

江民红 , 顾正飞 , 陈国华 , 成钢 , 申罡

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.z1.036

采用射频磁控溅射法成功制各了(111)取向的Pt薄膜.在研究退火工艺对Pt薄膜(111)取向生长的影响基础上,着重研究了退火工艺对Pt薄膜与缓冲层Pr薄膜间的互扩散及薄膜物相、结构的影响规律.结果表明:250℃保温5至25小时,Pt薄膜沿(111)择优取向生长,但保温时间对取向生长的影响不大,此时薄膜为立方结构;当500℃再分别保温2h和4h时,最初沿(111)取向生长的Pt薄膜与Pr薄膜发生互扩散现象,生成BFe结构的PrPt相,保温2h时,除生成PrPt相外,还可能存在一定量的取向Pt,保温4h时,薄膜中只存在PrPt相.本实验为制备(111)强烈取向Pt薄膜开拓了一条新的工艺及方法,同时为控制Pt薄膜的结构与性能、进行开发应用提供了实验依据.

关键词: Pt薄膜 , (111)取向 , 射频磁控溅射 , 热处理工艺 , PrPt相

热壁CVD制备铂薄膜的沉积室内壁材料选择研究

李颖 , 胡劲 , 武晋文 , 王玉天 , 于晓东 , 谭成文

稀有金属材料与工程

选择合适的沉积室内壁材料是热壁化学气相沉积制备Pt薄膜过程中降低前驱体在沉积室内壁上大量消耗,进而保证沉积室内Pt前驱体分压的关键.本研究对比了Pt在镍基高温合金,备选沉积室内壁材料——有氧化层的Cu以及紫铜表面的沉积的难易程度,发现在有氧化层的Cu的表面Pt薄膜很难沉积,因此当镍基高温合金为沉积基体时有氧化层的Cu可以作为热壁CVD的沉积室内壁衬底材料,但是只能一次性使用.

关键词: Pt薄膜 , 热壁CVD , 沉积室内壁材料

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