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采用微扰法测试碳泡沫的电磁参数

方志刚 , 李处森 , 孙家言 , 张劲松

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.021

利用网络分析仪连接矩形谐振腔组成材料电磁参数微扰法测试系统.由谐振腔微扰理论出发,得到以托管装载小样品测试时复介电常数和复磁导率的计算公式.对碳泡沫进行电磁参数测试.结果表明,随着碳泡沫电导率的增加,其介电常数缓慢增加,电损耗先增加后减小,而磁损耗不断增加.碳泡沫具有介电常数小、电损耗大、随电导率增加而增加的非本征磁损耗,这种独特的电磁损耗特征使得碳泡沫有用作宽频带高温结构吸波材料的可能性.

关键词: 吸波材料 , 碳泡沫 , 电磁参数 , 微扰法

具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征

方志刚 , 李处森 , 孙家言 , 张洪涛 , 张劲松

新型炭材料

通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块.使用谐振腔微扰法对比测试了2 450 MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化.结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部ε_(r)'均逐渐增加;电损耗tgδ_e均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδ_m不断增加,而其同质压制块的tgδ_m值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降.当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的ε_(r)'值比其同质压制块约小1/2,tgδ_e值至少大2倍,而压制块的tgδ_m值超过SiC/C泡沫4倍多.SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗.

关键词: SiC/C泡沫 , 三维连通网络结构 , 电磁损耗 , 微扰法 , 非本征磁损耗

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