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电场、残余应力和介质对PZT-5H铁电陶瓷压痕裂纹扩展的耦合作用

黄海友 , 宿彦京 , 乔利杰 , 高克玮 , 褚武扬

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.008

通过在硅油中加恒电场实验,研究了PZT-5H铁电陶瓷Vickers压痕裂纹的扩展行为,探讨了电场、残余应力以及介质间的耦合作用.结果表明,残余应力不足以使压痕裂纹在硅油中发生滞后扩展,只有外加恒电场E>0.2 kV/cm,电场、残余应力和介质的耦合才能使压痕裂纹在经过一个孕育期tp后发生滞后扩展.由于有效应力强度因子随裂纹扩展而下降,故压痕裂纹扩展10-30μm后就将止裂.压痕裂纹在硅油中滞后扩展的门槛电场强度EDP=0.2 kV/cm.如外加电场大于临界电场Ep=5.25 kV/cm,电场和残余应力的耦合可使压痕裂纹瞬时扩展;保持恒电场,裂纹能继续扩展,然后止裂.如外加电场大于12.6 kV/cm,不需要残余应力协助,电致裂纹也能在光滑试样上形核、长大、连接,导致试样断裂.试样发生电致滞后断裂的门槛电场EDF=12.6 kV/cm,发生瞬时断裂的临界电场EF=19.1 kV/cm.

关键词: PZT-5H铁电陶瓷 , 压痕裂纹 , 耦合作用 , 滞后扩展 , 滞后断裂

PZT铁电陶瓷的氢致半导体化

黄海友 , 褚武扬 , 宿彦京 , 高克玮 , 李金许 , 乔利杰

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.09.020

研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象.结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑.即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体.高于Curie点充氢时,能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变,室温下铁电性消失.但室温电解充氢并不抑制相变.高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.

关键词: PZT-5H铁电陶瓷 , , 氢致半导体化 , 氢致相变

PZT铁电陶瓷的氢致半导体化

黄海友 , 褚武扬 , 宿彦京 , 高克玮 , 李金许 , 乔利杰

金属学报

研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象. 结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑. 即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体. 高于Curie点充氢时,能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变,室温下铁电性消失. 但室温电解充氢并不抑制相变. 高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.

关键词: PZT-5H铁电陶瓷 , hydrogen , hydrogen-induced semiconductor transformation

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