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PTCR陶瓷复阻抗图谱拟合结果分析

蒲永平 , 梁云鹤 , 杨公安 , 王瑾菲 , 杨文虎

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.05.010

采用砖形结构模型(brick wall model)分析了PTCR陶瓷的电显微结构,通过公式推导得到复阻抗图谱的宏观拟合结果与陶瓷单个晶粒和晶界电性能的对应关系.

关键词: PTCR陶瓷 , 电性能显微结构 , 晶粒和晶界 , 电阻率

高性能BaTiO3基PTCR陶瓷的制备与表征

贾金亮 , 朱丽 , 畅柱国 , 杨孟林 , 王瑞芳

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.029

以乙酸钡和钛酸四丁酯为主要原料,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了BaTiO3基PTCR纳米晶粉体.通过热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)分析了粉体的合成过程和晶粒尺寸及相结构;纳米晶粉体经造粒、成型、烧结获得了居里温度(TC)为100℃,室温电阻率(ρ25℃)~18Ω·cm,温度系数(α30)~17%·℃-1,耐电压(Vb)>195V·mm-1,电阻率突变(ρmax/ρmin)> 106的PTC陶瓷材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)对其显微结构进行了观察.

关键词: PTCR陶瓷 , 溶胶-凝胶法 , 高性能 , 过电流保护

烧成工艺对低压用BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

汪伟 , 沈春英 , 丘泰

人工晶体学报

采用固相反应法制备低压用BaTiO3基PTCR陶瓷.采用XRD、SEM分析陶瓷的相组成及表面形貌.研究了烧成工艺对陶瓷性能的影响.当烧成温度为1280℃,降温时低温保温温度为1045℃时,制备出低阻高耐压BaTiO3基PTCR陶瓷,其室温电阻率ρRT为36 Ω·cm,温度系数α为13.8%/℃,耐电压强度E为100 V/mm.

关键词: BaTiO3 , PTCR陶瓷 , 烧成工艺 , 电性能

低电阻率高性能PTCR陶瓷材料--汽车闭锁器马达过电流保护元件的制备

黄仲臧 , 沈嘉祺

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.017

为满足汽车电器等低电压下的保护元件的需求,研制低电阻率高性能PTCR陶瓷材料已成为研究的热点. 本工作采用通常的混合氧化物工艺制备了室温电阻率<10 Ω·cm, 电阻率的突变达到105 的高性能PTCR热敏电阻陶瓷.并研究了原材料,固溶体的基方组成,各种添加物以及烧结工艺等对PTCR陶瓷性能的影响,特别注意了用液相方式添加施主和受主杂质在制备低电阻率的高性能PTCR陶瓷时起的更为有效的作用,对材料的化学组成,制备(烧结)工艺,显微结构和PTCR效应之间的关系进行了讨论. 用本材料制备的元件能用于汽车闭锁器马达的过电流保护.

关键词: PTCR陶瓷 , 室温电阻率 , 电阻率的突变 , 马达过电流保护元件

低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

曹明贺 , 袁俊 , 周东祥 , 龚树萍

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.015

用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1 02O3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba0.92Ca0.8Ti1.02O3PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"Ti,Mn'Ti或Al'Ti,V"Ba.

关键词: 低室温电阻率 , PTCR陶瓷 , 晶界 , 缺陷结构

PTCR陶瓷中的电阻率反常现象

虞孝栋 , 李国荣

无机材料学报

本文叙述了在50kHz以上高频域内,发现钛酸例基PTCR陶瓷材料Ba0.93Sr0.03Ca0.04TiO3xmolY2O3+1wt%AST的高频电阻-温度特性曲线呈现负突变的反常现象.对于这一反常现象,本文用PTCR陶瓷的晶粒-晶界二层电介质模型分析了不同频率下的电学等效电路,从而解释了上述现象.利用上述等效电路,还解释了该材料在100Hz至5MHz的频率范围内有效介电系数温度谱随频率增加而出现峰分裂的现象,以及电容损耗温度谱随频率变化的原因.

关键词: PTCR陶瓷 , high-frequency resistance , abnormal

YCl3取代Y2O3降低BaTiO3基PTCR陶瓷电阻率机理研究

周斌 , 徐国跃 , 李之琦 , 周耀誉

功能材料

采用YCl3溶液作为施主掺杂剂,在空气中烧结制备一系列BaTiO3陶瓷样品,对其室温电阻率及PTC效应进行研究.同时与Y2O3和YNO3溶液掺杂的样品对比,借助XRD、XRF等分析手段,研究了YCl3溶液掺杂降低BaTiO3基PTCR陶瓷室温电阻率的机理.研究结果表明,经空气中高温烧结后,样品中仍残留部分Cl元素,能取代O位起施主作用,烧结时Cl的挥发过程也能导致样品室温电阻率的降低,最后,施主掺杂剂以溶液的形式加入,能使其在粉料中分布均匀,有助于半导化.

关键词: PTCR陶瓷 , YCl3溶液掺杂 , 室温电阻率

PTCR陶瓷材料的超低温烧结

唐小锋 , 陈海龙 , 周志刚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.021

主要研究了BN对PTCR陶瓷材料低温烧结的作用.对La掺杂BaTiO3PTCR陶瓷,在1100C的低温下烧结可以得到室温电阻率为150Ω.cm、升阻比为4.9个数量级的样品.对居里温度为360C的高居里点(Ba0.4Pb0.6)TiO3PTCR陶瓷材料,选用Nb2O5为半导化剂,BN和AST为助烧剂时,可以在1000°C左右的超低温下烧成.同时,对BN助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨

关键词: BN , PTCR陶瓷 , 超低温烧结

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