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氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能

何邕 , 李效民 , 高相东 , 冷雪 , 王炜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上,制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜.研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明,通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子,可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构.未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2,通过采用氧等离子体辅助,其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.

关键词: 脉冲激光沉积法 , PMN-PT薄膜 , 微观结构 , 电学性能

两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响

郭红力 , 刘果 , 李雪冬 , 肖定全 , 朱建国

功能材料

采用射频磁控溅射法在LaNiO3(100)/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(PMN-PT)铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理。实验结果表明,在LaNiO3上溅射的PMN-PT薄膜呈现高度的(100)取向。对PMN-PT薄膜测试表明,在合适的两步法快速退火处理时,可以获得表面平整颗粒饱满,且铁电性能很好的薄膜,其剩余极化强度(2Pr)可以达到24μC/cm2,平均粗糙度为7.4nm,在室温1kHz的测试频率下,εr和tanδ分别为545和0.062。

关键词: 射频磁控溅射 , PMN-PT薄膜 , 快速退火(RTA)

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