徐岳生
,
付生辉
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
,
郝景臣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
关键词:
LEC SI-GaAs
,
AB-EPD
,
跨导
,
衬底
,
位错
,
PLmapping
,
临界值
