夏志国
,
李强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.037
在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 (PLZST)反铁电材料.总结了利用La3+、Nb4+、Hf4+、Sr2+、Ba2+和Nd3+等离子对富锆PZT以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究.讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能.展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向.
关键词:
反铁电材料
,
铁电-反铁电相变
,
PZT95/5
,
PZST
,
PLZST
孙玉静
,
田莳
,
李小兵
,
冯骏
功能材料
采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶解-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了组成、电极以及极化电压对其介电性能的影响.结果表明:质量比3:1的PLZST/PVDF复合材料在110℃,极化电压为15kV/mm的条件下极化0.5h,可使其相对介电常数从47.7增大到56.0.用SEM观察其微观组织可知,PLZST陶瓷粒子在PVDF聚合物基体中分散很均匀,但存有少量气孔.
关键词:
PLZST
,
PVDF
,
压电复合材料
,
溶胶-水热法
,
介电
弓长
,
冯玉军
,
徐卓
功能材料
研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响,以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电-铁电相变现象,对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试,记录结果表明,用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷,对于处于反铁电-铁电开关电场附近(EAFE-FE)的电压波动调压效果最好.此时小电压波动能够引起较大范围内的极化强度值的变化,在此时对于能量的吸收作用最强.从而对于调压用反铁电陶瓷应根据陶瓷的电滞回线选择合适的调节范围.
关键词:
PLZST
,
反铁电陶瓷
,
相变
薛丽红
,
李强
,
张一玲
,
刘锐
稀有金属材料与工程
通过化学共沉淀法合成PLZST多晶料,采用XRD和SEM对多晶料进行表征,考察了煅烧温度、过量Pb掺量、退火处理等条件对PLZST多晶料的影响.研究结果表明,化学共沉淀法合成PLZST具有一定的适用范围,在低温750℃下保温2 h便能得到单一的钙钛矿相,掺入过量的Pb有利于PLZST晶体的生成,适当的退火处理能促进晶体长大.
关键词:
化学共沉淀
,
PLZST
,
钙钛矿相
薛丽红
,
张一玲
,
李强
,
郭泉泳
,
刘锐
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.020
用改进的化学共沉淀法制备PLZST前驱体,讨论了共沉淀的最佳pH值范围.通过DTA-TG和XRD详细研究相组成随煅烧温度的变化,并通过和固相合成PLZST多晶料的条件比较可知,共沉淀法合成PLZST多晶料具有纯度高、组份均匀、合成温度低等特点.研究表明在700°C低温下即能合成纯钙钛矿相PLZST多晶料.利用化学分析法测定不同温度下合成的PLZST的铅含量表明低温下合成的PLZST,铅挥发量极少,不会由于铅的挥发造成计量比的改变和形成杂相.
关键词:
化学共沉淀
,
PLZST
,
钙钛矿相
