李亚东
,
骆苏华
,
高伟健
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.013
采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了Ti50Ni36Cu14合金薄膜.研究表明,PLD合金薄膜的成分与沉积距离(基片/靶间距)、激光脉冲频率有较大关系.当沉积距离(D)为20～30mm时,可获得成分均匀稳定的合金薄膜;当其它条件相同,激光脉冲频率(F)为5Hz时,合金薄膜与靶成分更为接近.采用PLD技术制备的Ti50Ni36Cu14合金薄膜成分均匀性较好,同时与磁控溅射薄膜相比PLD薄膜的平均成分更加接近靶体.采用本工艺获得的Ti50Ni36Cu14薄膜的平均成分为47.53at.%Ti、38.90 at.% Ni和13.57 at.%Cu.
关键词:
PLD技术
,
Ti50Ni36Cu14
,
合金薄膜
,
成分均匀性
王晓东
,
彭晓峰
,
张端明
无机材料学报
用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0-5V内低于250μA/mm2,具有良好的电学性能,C-F测试表明,低频电容色散大,高频色散小,在室温10kHz时介电常数为12600.介电损耗tanδ为0.04.
关键词:
PLD技术
,
KTN film
,
single crystal quartz
卢焕明
,
叶志镇
,
黄靖云
,
汪雷
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.033
利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
关键词:
LiNbO3薄膜
,
透射电子显微镜
,
PLD技术
王晓东
,
彭晓峰
,
张端明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.032
用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0～5V内低于250μA/mm2,具有良好的电学性能,C-F测试表明,低频电容色散大,高频色散小,在室温10kHz时介电常数为12600.介电损耗tanδ为0.04.
关键词:
PLD技术
,
KTN薄膜
,
石英单晶
