徐飞
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马向阳
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李东升
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杨德仁
材料科学与工程学报
本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质.通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象.我们对于这一现象的起因做出了初步的解释.
关键词:
CdSe
,
PMMA
,
PL
,
纳米复合材料
许鸿彬
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刘文
,
张勇
,
吕文中
人工晶体学报
采用磁控溅射法,以Al/Er合金为靶材,在Si衬底上制备出AlN: Er薄膜.XRD分析结果表明样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量为1 at%左右,氧很难避免,含量约为10%.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征,其中,尖荧光峰谱源于Er~(3+)的4f轨道直接激发跃迁,而宽谱则与Er~(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.
关键词:
磁控溅射
,
掺铒氮化铝
,
X射线光电子能谱
,
光致发光光谱
蔺云
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介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分析的结果表明, CdZnTe厚膜中无明显的 Te 夹杂相；X 射线摇摆曲线、PL 谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的 CdZnTe 外延膜；电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
杨燕
,
余涛
,
金成刚
,
韩琴
,
吴兆丰
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028
采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c 轴择优取向生长的单晶ZnO 纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO 纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的 ZnO 纳米线；低于600℃时,形成花状 ZnO纳米锥或纳米棒；高于700℃时,形成小长径比的 ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO 纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO 纳米材料。
关键词:
ZnO 纳米线
,
热蒸发
,
光致发光
,
气-固(VS)机理
贾相华
,
左桂鸿
,
郑友进
,
姜宏伟
,
张辉霞
,
黄海亮
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了N掺杂MgxZn1-xO薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射光谱、光致发光(PL)谱对N掺杂MgxZn1-xO薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD结果表明所有样品均形成了MgZnO合金薄膜,没有观察到其它氧化物的衍射峰.样品的结晶质量越差,样品的表面形貌越不规则,但样品在可见光的透射率越强,甚至达到了95％.样品的禁带宽度随Mg含量的增加而增加,随N含量的增加而减小.所有样品的光致发光谱均观察到强的400 nm发光和弱的可见发光.400 nm的发光强度随Mg含量的增加而减弱,随N含量的增加而增强,认为薄膜在400 nm的发光来源ZnO的激子复合.
关键词:
N掺杂MgxZn1-xO
,
溶胶-凝胶
,
光致发光
