李敏
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吴晶
工程热物理学报
随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加.为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计.本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500 nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波功率器件(PHEMT)的热学特性的影响.基于泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程,数值求解得到了器件的热点位置和温度分布,并通过实验进行了验证.最后,应用(火积)理论,进一步分析了(火积)耗散热阻在评价器件热学性能方面的适用性.
关键词:
PHEMT
,
自热效应
,
NEB模型
,
热点
,
(火积)耗散热阻
叶甜春
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谢常青
,
李兵
,
陈大鹏
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陈朝晖
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赵玲莉
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胥兴才
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刘训春
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张绵
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赵静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
关键词:
X射线光刻
,
PHEMT
,
T型栅
