马胜利
,
李雁淮
,
徐可为
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.01.018
用工业型脉冲等离子体化学气相沉积(PCVD)设备,在高速钢(W18Cr4V)和钴基硬质合金SC30基材表面沉积了TiN薄膜,用扫描电镜(SEM)和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响.结果表明:随脉冲电压在550-750 V之间逐渐增大,TiN晶粒增大,膜层脆性增加,沉积速率提高,但膜层结合力下降;在650 V以下膜基界面有一伪扩散层出现,超过650 V后伪扩散层消失,这是改善膜基结合行为的关键因素,讨论了伪扩散层形成的可能机制.
关键词:
PCVD TiN
,
膜基结合力
,
压入法
