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PCVD涂硅的动力学研究

王蕾 , 周树清 , 陈大凯

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2000.12.022

采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在0．1～0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的含Si量增加到6．5％，铁损P10/50比原来钢片降低50％，其他磁性能也大有改善。试验结果表明，在460～600℃涂硅，其他条件不变，涂硅速度随温度升高而降低，并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。

关键词: 涂硅 , PCVD法 , 动力学

CVD法与PCVD法TiN薄膜研究

刘齐成 , 刘培英 , 陶冶 , 刘利

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.007

用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)法和化学气相沉积(CVD)法分别制备TiN系薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能.研究表明:PCVD法TiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的CVD法薄膜,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀,形态圆整,组织致密;CVD法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差;PCVD法TiN系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类CVD法薄膜;虽然PCVD法薄膜的氯含量(约为2%)远高于CVD法薄膜(约为0.5%),但PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于CVD法薄膜.还研究分析了PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理.

关键词: CVD法 , PCVD法 , 薄膜

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