丁增辉
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熊予莹
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张蜡宝
,
熊建文
,
侯贤华
材料导报
利用密度泛函理论平面波赝势法,结合广义梯度近似构建了纯净ZnO和空位ZnO的超晶胞模型,利用第一性原理进行计算.结果表明,纯净ZnO中O原子或者Zn原子的减少都会使ZnO的禁带宽度增大,O空位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷.O原子的减少将使Zn 3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降.
关键词:
密度泛函理论
,
能带
,
态密度
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P型ZnO
周婷
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叶志镇
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赵炳辉
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徐伟中
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朱丽萍
无机材料学报
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.
关键词:
P型ZnO
,
electronic properties
,
MOCVD