朱锋
,
赵颖
,
张晓丹
,
孙建
,
魏长春
,
任慧智
,
耿新华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.005
采用RF-PECVD方法,在P-a-SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV).在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用.
关键词:
RF-PECVD
,
P型微晶硅
,
P型非晶硅碳
