宋晓岚
,
张晓伟
,
徐大余
,
喻振兴
,
邱冠周
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.033
采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大;随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著;硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.
关键词:
P型单晶硅片
,
腐蚀行为
,
极化曲线
,
缝隙腐蚀
