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氮化硅的氧化机制研究

陈思员 , 姜贵庆 , 俞继军 , 欧东斌

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.007

研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

关键词: 抗氧化 , 氮化硅 , 转捩温度