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LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

李颖弢 , 刘肃 , 王方聪 , 张春林 , 岳红菊

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.003

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED), 可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度.文章主要对OLEDs (A): Al/Alq3/ITO和(B): Al /LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1 nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72 500 pF减小到12 500 pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能.

关键词: OLEDs , LiF , 电容

基于 LiF/Al/F4-TCNQ/NPB 电荷产生层的叠层有机电致发光器件的特性研究

景姝 , 王华 , 刘慧慧 , 杜晓刚 , 苗艳勤 , 潘成龙 , 周禾丰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.0886

采用结构为 LiF/Al/F4-TCNQ/NPB 的电荷产生层,制备出了双发光单元叠层有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emitting Device).通过对比实验发现当 F4-TCNQ 层的厚度为8 nm、Al 层的厚度为5 nm 时,电荷产生层产生电荷的能力较强且具有良好的透光率.基于此,本文制备了发光层为 CBP:6%Ir(ppy)3的叠层 OLED,通过与单发光单元OLED 的性能比较发现:采用 LiF/Al/F4-TCNQ/NPB 作为电荷产生层制备的叠层 OLED 的最大电流效率与功率效率分别为51.6 cd/A、28.4 lm/W,为单发光单元 OLED 的2.16倍、1.8倍,此外采用这种结构的电荷产生层有效解决了叠层 OLED 由于工作电压高而导致功率效率并未得到提升的问题;另一方面,采用有机材料 F4-TCNQ 代替传统无机金属氧化物作为电荷产生层中的电荷产生部分,能够避免无机金属氧化物高温升华对 Al 层薄膜的破坏,提升了器件的效率并且降低了器件的 roll-off 现象.

关键词: 电荷生成层 , 叠层 , OLEDs

钙铝合金作为阴极对OLED器件性能的影响

席俭飞 , 张方辉 , 马颖 , 阎洪刚 , 刘丁菡 , 蒋谦

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.012

为了研究阴极材料对有机电致发光器件的影响,在不改变其他功能层的情况下,分别采用不同比例的Ca/Al合金和纯Al作为器件的阴极制备了4种绿光OLED器件,器件结构分别为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Ca(X%):Al(100nm)和ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Al(100nm).从电流一电压、电压一亮度、器件的外量子效率和光谱特性等几个方面,对不同比例的Ca/Al合金作为阴极的器件与Al作为阴极的器件进行了对比分析,发现当Ca的质量分数为10%时,器件的亮度达到最大值10 100cd/m2,并且器件的效率最高.对上述现象产生的原因进行了探讨,分析了器件光谱与不同阴极和不同驱动电流间的关系,从机理上阐述了OLED器件阴极的选取准则.

关键词: 钙铝合金 , 阴极 , 光谱 , OLEDs

单层有机发光二极管中复合区域和外量子效率的研究

赵楚军 , 李宏建 , 崔昊扬 , 代国章 , 黄永辉 , 谢强 , 彭景翠

功能材料

建立了单层有机电致发光器件复合区域和外量子效率的模型,讨论了外加电压与器件厚度对复合区域和外量子效率的影响.结果表明:(1)器件的复合区域宽度随着电场强度的增加而减小;(2)随着外加电压的升高,器件的外量子效率先增加后减小.

关键词: 复合区域 , 外量子效率 , OLEDs

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响

李志贤 , 张方辉 , 赵彦钊 , 王秀峰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.012

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/Mg:Ag(10:1)(100 nm)/Ag(50 nm)and ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/LiF(x)/Al(100 nm).结果发现,在同样电压下,与Mg:Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流.当LiF厚度为1 nm时,器件性能最好.以Mg:Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8 450 cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14 700 cd/m2.此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7 V时达到了最大为3.117 cd/mA.同时,当LiF厚度大于1 nm或小于1 nm时,器件性能都将会下降.

关键词: OLEDs , LiF厚度 , 电子注入层

磁自旋耦合作用对OLEDs性能的影响

王广德 , 丛林 , 孟昭晖 , 孟凡超 , 张刚 , 高永慧 , 华杰 , 汪津 , 姜文龙

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.015

介绍了近年来有关磁自旋耦合作用对有机电致发光器件性能影响的研究进展,包括有机磁阻效应、电致发光效应、光电导效应、量子效率效应等.其中,磁场作用下的有机磁阻可达到10%,理论上最大值为-50%;自旋极化注入的引入使得OLEDs的内量子效率达到32%,并且磁场作用下的电致发光强度也增强了8%左右;磁场作用下,器件的光电导和外量子效率分别增大了6%.以上效应随磁场增加逐渐趋于饱和.对于这些效应产生的理论机制,一般认为是由于三线态-三线态的猝灭、塞曼效应及超精细作用等产生的.三线态-三线态的猝灭形成了激发单线态激子S*,形成滞后的电致发光;而塞曼效应及超精细作用则认为是磁场抑制了单线态向三线态的转化致使发光增强.现在这方面的理论仍在完善过程中.

关键词: 磁自旋耦合效应 , OLEDs , 性能

高效叠层有机电致发光器件

侯林涛 , 王平 , 王标 , 梁振锴 , 刘彭义 , 吴冰 , 张秀菊

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112602.0142

采用Cs2CO3:Alq3/MoO3作电荷产生层,制备出高效双单元串联型叠层有机发光器件.双单元叠层有机发光器件发光性能受电荷产生层MoO3的厚度影响很大.当MoO3厚度为30 nm时,叠层器件表现出最好的器件性能,最大电流效率达到14.5 cd/A.在相当宽的低电流密度范围内,30 nm MoO3叠层器件的电流效率是对比单层器件电流效率的2倍以上;但高电流密度下,叠层器件电流效率下降较快.叠层发光器件性能的提高与中间电荷产生层向上下两个发光单元有效的电子、空穴注入有关.

关键词: 有机发光器件 , 电荷产生层 , 叠层 , 三氧化钼 , 碳酸铯

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