欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(1)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

C+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究

张波 , 俞文杰 , 薛忠营 , 魏星

功能材料与器件学报

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si08Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响.研究结果充分表明:C+离子注入的Si08Ge02衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi08Ge0.2的热稳定性.此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge02/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了Ni-Si0.8 Ge0.2表面和NiSi0.8 Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显.

关键词: , 硅锗 ,

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词