张华
,
刘慧舟
,
杨坚
,
金薇
,
杨玉卫
,
古宏伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.012
用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ～2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.
关键词:
反应溅射
,
连续沉积
,
CeO2隔离层
,
NiW衬底
